Работа нацелена на нахождение оптимального режима двухсторонней диффузии лития в монокристалл кремния для изготовления Si(Li) детекторов больших размеров. В работе использовался метод моделирования процессов двухсторонней диффузии атомов лития в монокристаллический кремний, путем численного решения задачи диффузии с граничными условиями. Для моделирования и решения задач использовалась программная среда MATLAB. В качестве исходного материала в процессе моделирования были выбраны физические характеристики бездислокационного монокристаллического кремния p-типа. По результатам моделирования двухсторонней диффузии лития в монокристалл кремния был определён оптимальный режим для получения Si(Li) детекторов большого диаметра. Для получения детекторов диаметром ≥ 100 мм с толщиной чувствительной области более 4 мм, оптимальная температура 430-450 ⁰C за временной интервал 3 мин с глубиной проникновения лития h_Li = 300 ± 10 мкм.